Ficha de Disco SSD Samsung 990 1Tb M.2 NVMe 2.0 PCIe 4.0 V-NAND Lectura 7150 Mb/s Escritura 6450 Mb/s (MZ-V9V1T0BW)

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Disco SSD Samsung 990 1Tb M.2 NVMe 2.0 PCIe 4.0 V-NAND Lectura 7150 Mb/s Escritura 6450 Mb/s (MZ-V9V1T0BW)

Fabricante: SAMSUNG
Familia: Discos Internos
Subfamilia: Discos SSD M.2

Garantía: Estándar
En stock: Si
Fecha estimada de nuevas entradas: -.-
Código Binary: 10140781
Código del fabricante: MZ-V9V1T0BW

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Características
- SDD, capacidad:1 TB
- Factor de forma de disco SSD:M.2
- Interfaz:PCI Express 4.0
- NVMe:Si
- Tipo de memoria:V-NAND
- Componente para:PC
- Encriptación de hardware:Si
- Versión NVMe:2.0
- Algoritmos de seguridad soportados:256-bit AES, TCG Opal 2.0
- Tamaño de la unidad SSD M.2:2280 (22 x 80 mm)
- Velocidad de lectura:7150 MB/s
- Velocidad de escritura:6450 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB):700000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB):1100000 IOPS
- Carriles datos de interfaz PCI Express:x4
- Función DevSleep:Si
- Revisión PCI Express CEM:4.0
- Soporte S.M.A.R.T.:Si
- Soporte TRIM:Si
- Tiempo medio entre fallos:1500000 h
Peso y dimensiones
- Ancho:80,2 mm
- Profundidad:2,38 mm
- Altura:22,1 mm
Condiciones ambientales
- Intervalo de temperatura operativa:0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento:1500 G
Control de energía
- Voltaje de operación:3,3 V
- Consumo de energía (lectura):4 W
- Consumo de energía (escritura):3,7 W
- Consumo de energía (espera):0,055 W
- Consumo de potencia DevSlp (modo sueño):3 mW
Empaquetado
- Tipo de embalaje:Caja